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基礎信息Product information

產(chǎn)品名稱(chēng)：吉時(shí)利KEITHLEY霍爾效應與范德堡測試

產(chǎn)品型號：

更新時(shí)間：2024-07-15

產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

吉時(shí)利KEITHLEY霍爾效應與范德堡測試。測量所有半導體材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN（N型&P型均可測量）I-V曲線(xiàn)及I-R曲線(xiàn)，實(shí)驗結果由軟件自動(dòng)計算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度 （Bulk Carrier Concentration）、表面載流子濃度 （Sheet Carrier Concentration）、遷移率 （Mobility）、

產(chǎn)品特性Product characteristics

吉時(shí)利KEITHLEY最經(jīng)典的霍爾效應與范德堡測試方法。方案一:2400/2600系列高精度源表+高低溫平臺+范德堡爾法則終端轉換器；方案二：6221電流源+7001多路開(kāi)關(guān)控制器+2182A納伏表。測量所有半導體材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可測量)I-V曲線(xiàn)及I-R曲線(xiàn)，實(shí)驗結果由軟件自動(dòng)計算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度 (Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度 (Sheet Carrier Concentration)、遷移率 (Mobility)、電阻率 (Resistivity)、霍爾系數 (Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)、電阻的縱橫比率(Vertical/ Horizontal ratio of resistance) 等。

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